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分立半导体
RN1906FE,LF(CT参考图片

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RN1906FE,LF(CT

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.53788
53.788
1,000
¥0.36838
368.38
4,000
¥0.27685
1107.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1906
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，RN1906FE,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P25S12M3-F
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:3008
VS-40TPS12LHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR 35A If; 1200V Vr TO-247AD 3L; Std Igt
1:¥42.4202
10:¥35.1882
100:¥28.9732
250:¥28.0466
500:¥25.199
参考库存:3444
YFZVFHTR5.1B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 4.94-5.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6924
SJ6016R2TP
Littelfuse
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥16.8257
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:3578
SBRD8360G-VF01
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 REC DPAK SPECIAL SHTKY
1:¥7.1416
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:4155
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