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分立半导体
ZXTN2010ZQTA参考图片

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ZXTN2010ZQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
190 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8.1 V
集电极—射极饱和电压
230 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2010
直流电流增益 hFE 最大值
300
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN2010ZQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 8.0 Amp 600 Volt
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
1,000:¥4.52
参考库存:18016
分立半导体
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1:¥68.6927
10:¥62.0822
25:¥59.1668
100:¥51.4037
参考库存:3376
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 2A
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:35910
分立半导体
MOSFET SuperFET2 650V, 44 mOhm, FRFET
1:¥80.6029
10:¥72.8398
25:¥69.4611
100:¥60.3194
参考库存:32569
分立半导体
整流器 RECTIFIER 400V .5A
1:¥3.0736
10:¥2.1583
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.65314
参考库存:108234
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