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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	二极管 - 通用，功率，开关
RoHS	是
产品	Switching Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-2
峰值反向电压	1200 V
最大浪涌电流	63 A
If - 正向电流	12 A
恢复时间	225 ns
Vf - 正向电压	1.7 V
Ir - 反向电流	1000 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	IDP12E120
封装	Tube
高度	9.2 mm
长度	9.9 mm
类型	Switching Diode
宽度	4.4 mm
商标	Infineon Technologies
Pd-功率耗散	96 W
产品类型	Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量	500
子类别	Diodes & Rectifiers
零件号别名	IDP12E120XKSA1 IDP12E12XK SP000712390
单位重量	6 g

商品其它信息

优势价格，IDP12E120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
M50100SB400	Crydom	分立半导体	PDF数据手册	分立半导体模块 100Amps 120VAC SB Circuit Power Module	1:¥603.0358 10:¥574.379 25:¥561.3162 50:¥548.2534	参考库存:1467
1SS362TE85LF	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 0.1A 80V Switching High-Speed Diode	1:¥2.7685 10:¥1.7854 100:¥0.7458 1,000:¥0.50737 3,000:¥0.3842	参考库存:7298
IPB80R290C3A	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2	1:¥40.6461 10:¥34.4989 100:¥29.9676 250:¥28.4308 500:¥25.5154 1,000:¥21.5152	参考库存:2457
VNB20N07TR-E	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET	1:¥21.5152 10:¥18.2834 100:¥15.8313 250:¥15.0629 1,000:¥11.3678 2,000:查看	参考库存:1681
SIR606BDP-T1-RE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥11.2209 10:¥9.2999 100:¥7.1416 500:¥6.1359 1,000:¥4.8364 3,000:¥4.52	参考库存:7461