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分立半导体
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IKB20N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
1,000
¥12.0684
12068.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB20N60TATMA1 IKB2N6TXT SP000054883
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IKB20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM5N700T2
Rectron
分立半导体
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥5.5031
2,000:¥4.7234
4,000:¥4.3053
10,000:¥3.9211
参考库存:52862
STTH512D
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6105
500:¥5.8421
参考库存:6866
STGB40V60F
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:6079
STL30P3LLH6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:8082
1N4777A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥575.6107
参考库存:52871
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