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分立半导体
IGW40N120H3参考图片

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IGW40N120H3

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库存:4,802(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N120H3FKSA1 IGW4N12H3XK SP000667510
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
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双极晶体管 - 预偏置 Digital TR NPN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
8,000:¥0.26894
24,000:查看
参考库存:12266
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:18122
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整流器 600V 16A UltraFast
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
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分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:10772
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