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分立半导体
IGW30N60H3参考图片

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IGW30N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V HI SPEED SW IGBT
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库存:2,667(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.668
26.668
10
¥22.6678
226.678
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.5998
4649.95
500
¥16.6788
8339.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N60H3FKSA1 IGW3N6H3XK SP000852242
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,IGW30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
参考库存:2192
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:7683
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:4159
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:3153
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:7622
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