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分立半导体
IHW25N120R2参考图片

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IHW25N120R2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
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库存:2,243(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.0356
34.0356
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.0521
2505.21
250
¥23.8204
5955.1
500
¥21.357
10678.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
365 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N12R2XK SP000212016
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IHW25N120R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7505
分立半导体
MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.582
参考库存:3990
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 65A 5MOHM
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
1,500:¥4.0906
参考库存:2465
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,000:¥1.4577
参考库存:3631
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 50 Volt 60 Amp IFSM
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.8984
500:¥1.5594
750:¥1.2091
参考库存:3308
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