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分立半导体
BSZ120P03NS3 G参考图片

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BSZ120P03NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
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库存:7,158(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥1.8871
9435.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ12P3NS3GXT SP000709736
商品其它信息
优势价格,BSZ120P03NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 10V 5% 150mW FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥3.1527
10:¥1.7628
100:¥0.9379
500:¥0.791
3,000:¥0.44522
9,000:查看
参考库存:11068
分立半导体
整流器 1000 Volt 2.0 Amp 70 Amp IFSM
1:¥3.842
10:¥2.1583
100:¥1.1639
500:¥0.92999
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:21183
分立半导体
整流器 200 Volt 1.0A 150ns 40 Amp IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.2374
100:¥1.3108
500:¥1.05994
5,500:¥0.67574
参考库存:8686
分立半导体
整流器 200 Volt 150 Amp
1:¥256.1032
5:¥244.5772
10:¥236.8932
25:¥217.6832
参考库存:3441
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3
1:¥64.0032
10:¥60.5454
25:¥55.1666
50:¥51.4037
参考库存:3552
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