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分立半导体
FS75R12KT3G参考图片

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FS75R12KT3G

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库存:1,596(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥935.0637
935.0637
5
¥916.6221
4583.1105
10
¥873.8968
8738.968
25
¥855.5343
21388.3575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
455 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KT3GBOSA1 SP000100438
单位重量
304.400 g
商品其它信息
优势价格,FS75R12KT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 350mW 3.6V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:10729
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥45.5616
10:¥36.5781
25:¥35.9566
100:¥33.3463
参考库存:3771
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:8309
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT ONLY F
1:¥35.8097
10:¥30.4309
100:¥26.4307
250:¥25.0521
500:¥22.5096
参考库存:3806
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS
1:¥13.447
10:¥11.1418
100:¥8.6784
500:¥7.5484
1,000:¥6.2602
参考库存:4369
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