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分立半导体
ZXMN10A08DN8TA参考图片

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ZXMN10A08DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
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库存:5,466(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6839
56.839
100
¥3.6725
367.25
500
¥3.6725
1836.25
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN10
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN10A08DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.2996
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.11418
参考库存:4802
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 1 Watt 5%
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.4012
500:¥1.1413
1,500:¥0.76049
4,500:查看
参考库存:5284
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.447
10:¥11.9102
100:¥9.4468
500:¥7.4467
1,000:¥5.9551
3,000:¥5.5144
参考库存:12941
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.3786
500:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.82942
参考库存:175743
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 400 Volt 150ns
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.96841
5,500:¥0.61472
11,000:查看
参考库存:6717
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