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分立半导体
BSC014N03MS G参考图片

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BSC014N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:9,333(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2772
3638.6
1,000
¥5.7404
5740.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
BSC014N03MSGATMA1 BSC14N3MSGXT SP000394681
商品其它信息
优势价格,BSC014N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
1:¥3.6838
10:¥2.5312
100:¥1.7176
500:¥1.3786
14,000:¥0.82942
28,000:查看
参考库存:15702
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.4253
1,000:¥23.8204
2,000:查看
参考库存:8970
分立半导体
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.42262
参考库存:6410
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.8419
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:46260
分立半导体
MOSFET MV POWER MOS
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
2,500:¥6.554
5,000:查看
参考库存:3848
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