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分立半导体
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ZXMN3F31DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
500
¥3.3787
1689.35
1,000
¥2.7007
2700.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
ZXMN3
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX55B11-TR
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