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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFPAK56-5
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	42 A
Rds On-漏源导通电阻	52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.7 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	33 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	89 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	5 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel LFPAK 100 V 27.5 mOhms Standard Level MOSFET
宽度	4.1 mm
商标	Nexperia
下降时间	12 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	14 ns
工厂包装数量	1500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	15 ns
单位重量	81.400 mg

商品其它信息

优势价格，PSMN028-100YS,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZXMP6A17GQTA	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm	1:¥5.3788 10:¥4.5313 100:¥2.9154 1,000:¥2.3391	参考库存:6113
BAS70-05-E3-18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 70 Volt 200mA Dual Common Cathode	1:¥3.5369 10:¥2.0001 100:¥1.06785 500:¥0.86106 10,000:¥0.44522 20,000:查看	参考库存:3082
ZTX958	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine	1:¥8.9157 10:¥7.6388 100:¥5.876 500:¥5.1867 1,000:¥4.0906	参考库存:1701
SI4100DY-T1-E3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8	1:¥10.1474 10:¥8.3733 100:¥6.4523 500:¥5.5596 2,500:¥5.5596	参考库存:21206
DMP2065UFDB-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K	1:¥3.5369 10:¥2.9493 100:¥1.7967 1,000:¥1.3899 3,000:¥1.1865	参考库存:5486