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分立半导体
BSO150N03MD G参考图片

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BSO150N03MD G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
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库存：14,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.3054
63.054
100
¥4.8364
483.64
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.3787
3378.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.3 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC, 17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
12 S, 12 S
下降时间
4.2 ns, 4.2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns, 3.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.7 ns, 8.7 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns, 7.3 ns
零件号别名
BSO150N03MDGXUMA1 BSO15N3MDGXT SP000447476
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO150N03MD G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55C51
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.22261
25,000:¥0.2147
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:33704
UMZ30KFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 755-EDZVFHT2R30B
3,000:¥0.3842
参考库存:33707
PD57070S-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:33710
BZV55C3V9
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.1921
25,000:¥0.18419
50,000:¥0.15368
100,000:¥0.13786
参考库存:33713
GBPC4004
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 40A 400V
200:¥18.2834
参考库存:33716
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