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分立半导体
BSO615CGHUMA1参考图片

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BSO615CGHUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3392
2169.6
2,500
¥3.0397
7599.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.1 A, 2 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.5 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO615
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.25 S, 1.2 S
下降时间
18 ns, 90 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns, 105 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 125 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 24 ns
零件号别名
BSO615C BSO615CGXT G SP000216311
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO615CGHUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 21-28VDC 0-20A REDUNDANCY BUFFER
1:¥593.8941
10:¥494.3072
50:¥451.661
100:¥444.5194
参考库存:4557
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 1 Watt 5%
1:¥3.616
10:¥2.6103
100:¥1.5255
1,000:¥0.64523
5,000:¥0.56048
参考库存:27698
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A, 30V, Micro SMA SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.1471
10:¥2.9154
100:¥1.9097
500:¥1.1413
3,000:¥0.76049
9,000:查看
参考库存:22558
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
100:¥63.2348
参考库存:4660
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥59.3928
10:¥53.4829
25:¥48.7143
100:¥43.957
参考库存:4622
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