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分立半导体
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VND5N07TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET
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库存：2,249(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
2,500
¥5.6048
14012
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
VND5N07-E
晶体管类型
1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
40 ns, 1100 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns, 400 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns, 3900 ns
典型接通延迟时间
50 ns, 150 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，VND5N07TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R17ME3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 375A
10:¥1,288.4486
30:¥1,270.3912
参考库存:35185
BZX84C7V5
Rectron
分立半导体
稳压二极管 7.5V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35188
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 7AD2PAK
800:¥8.1473
2,400:¥7.571
4,800:¥7.2885
9,600:¥7.0173
参考库存:35191
BZX84C8V2
Rectron
分立半导体
稳压二极管 8.2V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35194
RF201L2STE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
整流器 DIODE FAST REVERY 200V 2A
1,500:¥1.1978
参考库存:35197
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