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分立半导体
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BSS806NEH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NE H6327 SP000999336
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS806NEH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
参考库存:4194
STTH1R04U
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery Diode
1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
2,500:¥1.09158
参考库存:12755
BTA16-600SWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 16 Amp 600 Volt
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5086
IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
参考库存:5109
ZMY39-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:16135
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