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分立半导体
APT64GA90LD30参考图片

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APT64GA90LD30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥95.6658
95.6658
10
¥86.9874
869.874
25
¥80.456
2011.4
50
¥76.0716
3803.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
117 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
117 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
117 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT64GA90LD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 5.6V 200mW
1:¥1.07576
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:99079
分立半导体
整流器 1.0Amp 100volt
1:¥3.4578
10:¥2.6781
100:¥1.9888
500:¥1.6385
3,000:¥1.1526
6,000:查看
参考库存:31824
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥18.3625
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
3,000:¥7.9891
6,000:查看
参考库存:4254
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:122318
分立半导体
MOSFET 30V 4.0A 0.75W
1:¥4.9155
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7289
参考库存:16408
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