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分立半导体
BSD235C H6327参考图片

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BSD235C H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
950 mA, 530 mA
Rds On-漏源导通电阻
266 mOhms, 745 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
340 pC, - 400 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSD235
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2 S, 700 mS
下降时间
1.2 ns, 3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.5 ns, 5.1 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSD235CH6327XT BSD235CH6327XTSA1 SP000917610
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，BSD235C H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4955
Semtech
分立半导体
稳压二极管 Z MET 7.5V
1:¥74.6139
10:¥67.8452
25:¥62.7828
50:¥59.325
参考库存:20241
MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
10:¥2,382.04
25:¥2,151.52
参考库存:20244
SDT8A120P5Q-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.4634
参考库存:20247
VS-ST230C12C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 410 Amp
1:¥530.0378
5:¥519.5966
10:¥497.8441
25:¥481.7868
参考库存:5930
BLF378
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,110.338
10:¥1,018.8984
25:¥914.396
50:¥809.8936
参考库存:20252
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