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分立半导体
BC849CLT1G参考图片

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BC849CLT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
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数量单价合计
1
¥0.92208
0.92208
10
¥0.78422
7.8422
100
¥0.27685
27.685
1,000
¥0.18419
184.19
3,000
¥0.14577
437.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC849CL
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
420
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT13003SZTR-G1
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10,000:¥0.50737
24,000:¥0.47686
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25,000:¥1.6385
50,000:¥1.6159
参考库存:27952
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5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:27961
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