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分立半导体
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RE1J002YNTCL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET N-CH .9V Drive .2A
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.52997
529.97
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416FL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
RE1J002YN
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，RE1J002YNTCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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