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分立半导体
BC858BLT1G参考图片

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BC858BLT1G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V PNP
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数量单价合计
1
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0.84524
10
¥0.7684
7.684
100
¥0.26894
26.894
1,000
¥0.18419
184.19
3,000
¥0.13786
413.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC858BL
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
220
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC858BLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥445.5929
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1:¥172.5849
5:¥164.8218
10:¥159.669
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60:¥821.2614
108:¥791.452
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1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8365
500:¥5.876
3,000:¥5.876
参考库存:24928
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:24931
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