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分立半导体
BCW68GLT3G参考图片

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BCW68GLT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENRL TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1.2317
1.2317
10
¥1.05994
10.5994
100
¥0.37629
37.629
1,000
¥0.25312
253.12
10,000
¥0.1695
1695
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.8 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCW68
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BCW68GLT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP19,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
参考库存:9002
T2G6001528-Q3
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:2194
TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:查看
参考库存:2320
U309
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 20mA 500mW 4mW
1:¥84.8291
10:¥71.303
100:¥65.6191
250:¥59.8561
参考库存:2391
STL73
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:6994
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