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分立半导体
BUK9K5R6-30EX参考图片

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BUK9K5R6-30EX

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET N-CH 30V 40A
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数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.441
644.1
500
¥5.6952
2847.6
1,500
¥3.9889
5983.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56D-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms, 3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22.6 nC, 22.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
64 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
22.4 ns, 22.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25.2 ns, 25.2 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.1 ns, 30.1 ns
典型接通延迟时间
13.8 ns, 13.8 ns
商品其它信息
优势价格，BUK9K5R6-30EX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM200GB120DLC
Infineon Technologies
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IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥1,372.3624
5:¥1,339.3212
10:¥1,306.054
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参考库存:28269
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