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分立半导体
APT18M100B参考图片

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APT18M100B

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存:1,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥86.445
86.445
10
¥77.7666
777.666
25
¥70.851
1771.275
50
¥66.0033
3300.165
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 W
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT18M100B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71R
18:¥1,048.4818
36:¥1,011.8246
54:¥989.4732
参考库存:23536
分立半导体
桥式整流器
1:¥12.2153
10:¥10.7576
25:¥9.7632
100:¥8.5315
参考库存:23539
分立半导体
整流器 10A 50V GLSS PASS HI EFF SNGL ISOLATED
2,000:¥2.7911
4,000:¥2.7233
10,000:¥2.5086
24,000:¥2.4069
参考库存:23542
分立半导体
稳压二极管 250mW 5% Tolerance
9,000:¥0.68365
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.5763
99,000:¥0.5537
参考库存:10405
分立半导体
整流器 200V 40A REV Leads Fast Recovery
200:¥108.8077
250:¥99.2027
500:¥92.8182
1,000:¥85.1342
参考库存:23547
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