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分立半导体
IPP100N08S2L07AKSA1参考图片

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IPP100N08S2L07AKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
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库存：2,214(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.8368
1283.68
500
¥11.2209
5610.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
246 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPP100N08S2L-07 IPP1N8S2L7XK SP000219052
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP100N08S2L07AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UF1006-T
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 1.0A 800V
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
5,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:10000
IRF840LCLPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:2067
1N5407RLG
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 800V 3A Standard
1:¥3.0736
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,200:¥0.78422
2,400:¥0.66896
参考库存:4856
BZX79-C20,133
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:16762
DD600N12K
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 1.2KV 600A
1:¥1,766.7776
5:¥1,724.2896
10:¥1,681.4852
25:¥1,657.9021
参考库存:1672
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