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分立半导体
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APT66M60B2

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存：1,455(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥156.2112
156.2112
10
¥141.9958
1419.958
25
¥131.3173
3282.9325
50
¥124.2548
6212.74
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
T-MAX-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
330 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.135 kW
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
225 ns
典型接通延迟时间
75 ns
商品其它信息
优势价格，APT66M60B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA204W-600D,135
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥2.5312
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19964
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:19967
DDZ6V8CQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 Tight Tolerance Zen
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:19970
BLW85
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:19973
DDZ9712T-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150MW 28V
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
参考库存:19976
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