您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
APT30GT60BRG参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

APT30GT60BRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:1,215(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.472
61.472
10
¥55.3248
553.248
25
¥50.4093
1260.2325
100
¥45.4938
4549.38
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
64 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
64 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
64 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT30GT60BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:4316
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 300mW
1:¥5.9212
10:¥5.1189
100:¥3.5482
1,000:¥2.6442
参考库存:6587
分立半导体
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:7596
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4906
分立半导体
IGBT 模块
1:¥5,297.2705
5:¥5,212.5996
参考库存:3963
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-83269811

手机:13684914114

传真:0755-83267787

Email: yichuanghuizhouyanli1368@ych124.wecom.work

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-83269811

微信联系我们 微信扫码联系我们