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分立半导体
NGTB40N65FL2WG参考图片

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NGTB40N65FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/40A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥34.2729
342.729
100
¥29.7416
2974.16
250
¥28.2048
7051.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N65FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V - 120A Schottky Rectifier
40:¥458.6557
80:¥443.3668
120:¥437.4456
参考库存:17068
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.69156
22,500:¥0.66105
参考库存:17071
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7,500:¥1.2091
参考库存:17074
分立半导体
整流器 600Vrrm 600Vr 420Vr 3.0A 100Ifsm
1,600:¥25.2781
参考库存:17077
分立半导体
整流器 2A, 600V, SUPER FAST SM SMA RECTIFIER
15,000:¥0.78422
参考库存:17080
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