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分立半导体
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BD239C

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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5.2997
10
¥4.407
44.07
100
¥2.8476
284.76
1,000
¥2.2713
2271.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
115 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
2 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD239C
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1200
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,BD239C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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分立半导体
整流器 3A, 150V SMC Ultar fast GP
1:¥3.6838
10:¥3.0736
100:¥2.3165
500:¥1.7063
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.1752
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分立半导体
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1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥2.4182
500:¥1.7741
1,250:¥1.7741
参考库存:33413
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