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分立半导体
RGTH80TS65DGC11参考图片

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RGTH80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A IGBT Stop Trench
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28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
234 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH80TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH80TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:28531
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参考库存:28534
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