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分立半导体
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FP25R12KT4_B15

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数量单价合计
1
¥510.986
510.986
5
¥501.607
2508.035
10
¥488.6233
4886.233
25
¥479.0183
11975.4575
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
160 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
IGBT4
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FP25R12KT4B15BOSA1 SP000808002
商品其它信息
优势价格，FP25R12KT4_B15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3866UB
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥305.665
300:¥285.2346
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JANTX1N5308UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥312.2755
250:¥291.5287
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JANTX1N3041DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
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100:¥297.755
250:¥277.8557
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JANTX1N6314D
Microsemi
分立半导体
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100:¥290.7603
250:¥271.4034
参考库存:54194
JANTXV1N6313D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥381.0473
250:¥359.7694
参考库存:54197
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