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分立半导体
IPI086N10N3 G参考图片

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IPI086N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：3,798(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.9836
10.9836
10
¥9.379
93.79
100
¥7.232
723.2
500
¥6.3958
3197.9
1,000
¥5.0511
5051.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPI086N10N3GXKSA1 IPI86N1N3GXK SP000683070
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，IPI086N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P35S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:2640
FP150R12KT4_B11
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:2572
SUM50020E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:3350
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:2784
PMCM4401UNEZ
Nexperia
分立半导体
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:5179
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