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分立半导体
APT45GR65B参考图片

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APT45GR65B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:2,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT45GR65B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 500V P-Channel QFET
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1642
500:¥6.3393
参考库存:5601
分立半导体
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
1:¥7.7631
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:4951
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:3283
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2x30 Amp 100 Volt
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
500:¥20.8259
参考库存:2768
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:5676
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