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分立半导体
STI24N60M2参考图片

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STI24N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
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库存:3,309(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.7412
217.412
100
¥18.8258
1882.58
250
¥17.8992
4474.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
168 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI24N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI24N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
高压触发二极管 250V DO-15
1:¥9.0626
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.6386
5,000:¥3.6386
参考库存:6145
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
4,500:¥0.35369
9,000:查看
参考库存:17356
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 12.11-12.75V AEC-Q101 Qualified
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
4,500:¥0.35369
9,000:查看
参考库存:10156
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:6408
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V Vrm 0.2A Io Recovery Diode
1:¥3.2996
10:¥2.1244
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.52997
参考库存:10193
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