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分立半导体
RGT50TS65DGC11参考图片

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RGT50TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5886
205.886
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.9839
4245.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT50TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT50TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGT50TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 5V 1A PMDU TR
1:¥3.842
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:8748
分立半导体
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1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8365
参考库存:6300
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥467.8765
2:¥459.2772
5:¥454.0453
10:¥440.2932
参考库存:5118
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:5129
分立半导体
MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3902
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:49321
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