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分立半导体
APT50GF120JRDQ3参考图片

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APT50GF120JRDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
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数量单价合计
1
¥508.9068
508.9068
2
¥499.6182
999.2364
5
¥493.923
2469.615
10
¥478.9392
4789.392
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
521 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT50GF120JRDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4496D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥170.2797
250:¥156.2903
500:¥148.7645
参考库存:52387
CDLL5917D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥80.682
250:¥73.6082
500:¥68.93
1,000:¥61.472
参考库存:52390
CDLL4473
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
103:¥69.6193
250:¥63.5512
500:¥58.0142
1,000:¥49.0985
参考库存:52393
JAN1N4127C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥75.5292
250:¥68.8509
500:¥64.3874
1,000:¥59.0877
参考库存:52396
JAN1N4099DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥186.6421
250:¥171.2741
500:¥163.059
参考库存:52399
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