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BSC018NE2LSI

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
零件号别名
BSC018NE2LSIATMA1 BSC18NE2LSIXT SP000906030
单位重量
118.400 mg
商品其它信息
优势价格，BSC018NE2LSI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SMA4758HR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 56V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7741
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.65314
参考库存:33614
TSSE3H60HRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench Schottky 3amp 60v
20,000:¥0.73789
参考库存:33617
BZD27C27P R2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 27V, ZENER
7,500:¥0.86784
22,500:¥0.81473
45,000:¥0.72998
参考库存:33620
TS10P03G C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 200 Volt 200 Amp IFSM
1,200:¥5.3901
3,600:¥4.8816
6,000:¥4.7799
10,800:¥4.3844
参考库存:33623
GBPC5006T
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 600 V - 50 A
1,000:¥25.5154
2,500:¥24.2046
参考库存:33626
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