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分立半导体
HN1A01F-Y(TE85L,F)参考图片

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HN1A01F-Y(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4955
Semtech
分立半导体
稳压二极管 Z MET 7.5V
1:¥74.6139
10:¥67.8452
25:¥62.7828
50:¥59.325
参考库存:20241
MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
10:¥2,382.04
25:¥2,151.52
参考库存:20244
SDT8A120P5Q-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.4634
参考库存:20247
VS-ST230C12C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 410 Amp
1:¥530.0378
5:¥519.5966
10:¥497.8441
25:¥481.7868
参考库存:5930
BLF378
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,110.338
10:¥1,018.8984
25:¥914.396
50:¥809.8936
参考库存:20252
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