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分立半导体
BZT52C12-G3-08参考图片

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BZT52C12-G3-08

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数量单价合计
1
¥2.3843
2.3843
10
¥1.6159
16.159
100
¥0.791
79.1
500
¥0.67574
337.87
3,000
¥0.4068
1220.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
稳压二极管
RoHS
Vz - 齐纳电压
12 V
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOD-123-2
Pd-功率耗散
410 mW
电压容差
5 %
电压温度系数
0.9 mV/C
齐纳电流
28 mA
Zz - 齐纳阻抗
20 Ohms
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BZT52-G
商标
Vishay Semiconductors
Ir - 反向电流
100 nA
产品类型
Zener Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BZT52C12-V-G-08
单位重量
10.300 mg
商品其它信息
优势价格,BZT52C12-G3-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5765
分立半导体
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥3.7629
100:¥2.5764
500:¥1.7628
2,500:¥1.1865
10,000:查看
参考库存:9903
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:10650
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 1000 Volt 220 Amp IFSM
1:¥10.7576
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥5.6274
参考库存:5933
分立半导体
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:5257
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