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分立半导体

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RN1606(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
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库存:8,737(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1606
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
商标
Toshiba
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN1606(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2715
500:¥5.5483
参考库存:6189
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:4886
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:6968
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV High Perf PNP VCBO -40 VCEO -40
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
10,000:¥0.89157
20,000:查看
参考库存:23995
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.51V VF PMDU; SOD-123FL
1:¥3.9211
10:¥3.0058
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
参考库存:10019
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