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分立半导体
BSD235CH6327XT参考图片

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BSD235CH6327XT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
950 mA, 530 mA
Rds On-漏源导通电阻
266 mOhms, 745 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
340 pC, - 400 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD235
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2 S, 700 mS
下降时间
1.2 ns, 3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.5 ns, 5.1 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSD235C BSD235CH6327XTSA1 H6327 SP000917610
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD235CH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
138:¥56.9407
250:¥52.3303
500:¥47.7199
1,000:¥41.5727
参考库存:51028
分立半导体
稳压二极管
100:¥31.4253
227:¥31.4253
500:¥28.2048
1,000:¥23.8204
2,500:¥22.5887
参考库存:51031
分立半导体
稳压二极管
1:¥84.524
10:¥76.0716
25:¥69.382
100:¥62.5455
200:¥57.4718
参考库存:51034
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
278:¥25.6623
500:¥22.9729
1,000:¥19.3682
2,500:¥18.4416
参考库存:51037
分立半导体
稳压二极管 0TC Reference Voltage Zener
233:¥33.8096
250:¥30.51
500:¥27.1991
1,000:¥22.9729
参考库存:51040
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