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分立半导体
PBSS5130PAP,115参考图片

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PBSS5130PAP,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
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1
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3.2996
10
¥2.6894
26.894
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.08367
3251.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 85 mV
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
125 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
350
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
1450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25,000:¥3.6612
参考库存:27961
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