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分立半导体
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ZVNL110ASTZ

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库存:8,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
2,000
¥2.3956
4791.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVNL110
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
225 mS
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZVNL110ASTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
参考库存:1568
分立半导体
双向可控硅 25A BTA UL1557 Cert 4/3 Quadrant Triac
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:5727
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:5495
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:19021
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
1:¥3.5369
10:¥2.3504
100:¥1.3108
1,000:¥0.9605
10,000:¥0.77631
20,000:查看
参考库存:5752
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