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分立半导体
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BSS670S2LH6327XTSA1

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库存：20,749(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.808
18.08
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.5989
598.9
3,000
¥0.45313
1359.39
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS670S2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
600 mS
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
BSS670S2L BSS67S2LH6327XT H6327 SP000928950
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS670S2LH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B150-HM3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:33208
FZ1800R12HE4_B9
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A
1:¥6,357.5156
5:¥6,255.9286
参考库存:33211
BZG03B82-HM3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:33214
1N4753APE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.198
4,500:¥5.0059
9,000:¥4.8025
参考库存:33217
SIHP6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:33220
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