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分立半导体
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R6009ENX

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
1,000
¥9.9101
9910.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
R6009ENX
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格，R6009ENX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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Microsemi
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329:¥21.5943
500:¥19.21
1,000:¥16.2155
2,500:¥15.4471
参考库存:34493
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暂无价格
参考库存:34496
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