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分立半导体
STGP6NC60HD参考图片

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STGP6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
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647.49
500
¥5.7291
2864.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N970A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
455:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.752
2,500:¥11.1418
5,000:¥10.2152
参考库存:35624
FR155G-T
Rectron
分立半导体
整流器 DO-15 1.5A 600V 150n s.GP
8,000:¥0.43053
24,000:¥0.42262
参考库存:35627
JANTXV1N5536BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥165.6693
250:¥151.985
500:¥144.6852
参考库存:35630
RN2101MFV,L3F
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm
暂无价格
参考库存:35633
1N5950B G
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
2,500:¥8.2264
参考库存:35636
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