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分立半导体
APT100GT120JU2参考图片

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APT100GT120JU2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT100GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM
3,500:¥1.7854
7,000:¥1.6724
10,500:¥1.6046
24,500:¥1.5368
参考库存:26972
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥4.5991
10,000:¥4.5087
参考库存:26975
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥6.1811
10,000:¥5.7065
参考库存:26978
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:26981
分立半导体
双向可控硅 400V .8A Sensing 3-3-3-3mA
5,000:¥3.4126
10,000:¥3.2883
25,000:¥3.1866
参考库存:26984
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