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分立半导体
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APT100GT120JU2

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：2,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT100GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N6330US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥200.4733
250:¥184.0318
500:¥175.1161
参考库存:25465
JAN1N4104DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥188.032
200:¥172.5058
500:¥164.2116
参考库存:25468
SC3BH1
Semtech
分立半导体
桥式整流器 A 3PHFW 10A STD 100V
1:¥1,217.4507
参考库存:25471
JAN1N3827CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥238.9724
200:¥219.2991
参考库存:25474
JANTX1N4133DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥204.7786
200:¥187.9529
500:¥178.879
参考库存:25477
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