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分立半导体
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IGW60T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A
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数量单价合计
1
¥61.3138
61.3138
10
¥55.4039
554.039
25
¥52.8614
1321.535
100
¥45.878
4587.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60T120FKSA1 IGW6T12XK SP000013906
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IGW60T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N740
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:27518
1N6336
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
50:¥65.2349
参考库存:27521
CSD87355Q5DT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
250:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
2,500:¥9.9101
5,000:¥9.5259
参考库存:27524
AUIRLR2703
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0568
参考库存:27527
TT170N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 350A DUAL
1:¥1,106.6542
5:¥1,084.9017
10:¥1,034.3455
25:¥1,012.593
参考库存:27530
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