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分立半导体
STGP3NC120HD参考图片

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STGP3NC120HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
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库存:1,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP3NC120HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP3NC120HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6218
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:6333
分立半导体
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.4468
500:¥8.2942
3,000:¥6.3506
6,000:查看
参考库存:4217
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
1:¥11,753.9097
参考库存:4056
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-89 -1A 180 to 450hFE -50V
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
参考库存:9017
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A
1:¥172.89
100:¥144.075
500:¥123.4864
参考库存:4292
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